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半月板损伤，容错要MRI来确认半月板撕裂的方式及分度，周围水肿及软组织损伤情况。

顶级相关工作发表在国际顶级能源材料期刊Energy StorageMaterials（EnergyStorageMater.10(2018):130-138）。容错（c）制得的原始SnSe样品。

由于普通硒化锡半导体中空穴为多数载流子，顶级n型多晶硒化锡块体一般较难实现。SnSe作为一种典型的半导体热电材料，容错拥有如下特点：容错（1）在~800 K发生相变，从正交Pnma结构变为正交Cmcm结构，（2）具有较高的载流子浓度，并能够通过引入空位进一步提高载流子浓度。顶级（g）其在SnSe-plane的线扫结果。

容错（d）烧结块体的HREM和SAED。该团队通过溶剂热法第一次实现了肉眼可观察的近毫米级SnSe单晶片，顶级如图2所示，其平均尺寸为100微米以上，最大尺寸可达到约1毫米。

此外，容错通过XRD，XPS，SEM，TEM以及Cs-STEM等先进表征手段，该团队发现在溶剂热法合成铜掺杂硒化锡微晶的过程中，掺入的铜元素同时显示+1和+2价。

图1 近期SnSe基热电材料中的研究进展（a）单晶SnSe关于温度变化的热电优值，顶级（b）相应的平均热电优值。图2b为Cufoam@BiNW的XRD图谱，容错可见煅烧后生成的Bi2O3已全部被还原为单质铋。

然后，顶级通过进一步的原位电化学还原过程，获得了富含晶格错位缺陷的Bi纳米线（Cufoam@BiNW）。傅立叶变换交流伏安测试（FTacV）表明，容错与其他Bi材料不同，容错Cufoam@BiNW电极上CO2还原的决速步骤是质子化CO2•-自由基阴离子的还原，说明BiNWs上存在新的催化活性位点。

顶级该铋膜在空气氛围煅烧过程中被部分氧化为Bi2O3。（b）Cufoam@BiNW，容错Cufoam@Bi和Bi的电位和电流密度关系图。